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納米尺寸垂直晶體管亮相 有效溝道長(zhǎng)度最短可小于1納米

時(shí)間:2021-05-13 09:06:35    來源:新華社    

記者5月7日從湖南大學(xué)獲悉,劉淵教授團(tuán)隊(duì)使用范德華金屬集成法,成功展示了超短溝道垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其有效溝道長(zhǎng)度最短可小于1納米。這項(xiàng)“微觀世界”的創(chuàng)新,為“后摩爾時(shí)代”半導(dǎo)體器件能提升增添了希望。日前,這一研究成果已發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。

從21世紀(jì)初開始,商用計(jì)算機(jī)的主頻便停滯不前,相關(guān)“摩爾定律”已逼極限——伴隨電子器件縮小,溝道長(zhǎng)度也縮短到十納米級(jí)別,短溝道效應(yīng)更加顯著。如何制造出更優(yōu)能與更低功耗的電子器件,成為“后摩爾時(shí)代”全球半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)之一。

記者從湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院了解到,垂直晶體管具有天然的短溝道特,其研發(fā)有望作為一種全新的器件微縮方向。如能通過進(jìn)一步研究將真正的溝道物理長(zhǎng)度縮小至10納米甚至5納米以下,未來將可能不再依賴傳統(tǒng)的高精度光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)。

劉淵教授團(tuán)隊(duì)采用低能量的范德華電極集成方式,實(shí)現(xiàn)了以二硫化鉬作為半導(dǎo)體溝道的薄層甚至單原子層的短溝道垂直器件。他們將預(yù)制備的金屬電極物理層壓到二硫化鉬溝道的頂部,保留了二維半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)及其固有特,形成理想的范德華金屬—半導(dǎo)體界面。通過對(duì)垂直器件進(jìn)行微縮,垂直晶體管的開關(guān)比能提升了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

據(jù)了解,這種方法還可以運(yùn)用到其他層狀半導(dǎo)體作為溝道的器件上,均實(shí)現(xiàn)了小于3納米厚度的垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管,證明了范德華電極集成對(duì)于垂直器件微縮的普適。這項(xiàng)研究有望為制造出擁有超高能的亞3納米級(jí)別的晶體管,以及制備其他因工藝水限制而出現(xiàn)不完美界面的范德華異質(zhì)結(jié)器件,為提升芯片能提供了一種全新的低能耗解決方案。

該論文第一作者為湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院博士生劉麗婷,劉淵教授為通訊作者。(記者謝櫻蘇曉洲)

關(guān)鍵詞: 納米尺寸 垂直晶體管 半導(dǎo)體 長(zhǎng)度

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